| 项目摘要： |
目前商用化通讯波段（1.3和1。55微米）激光器采用InP基半导体量子阱结构，激光器特征温度一般在60K左右，实际使用时需要外部致冷器来稳定激光波长，耗能多（超过50%的能量用于致冷器），成本高，不利于大批量生产，其中非制冷1，3微米激光器成为光纤到户应用的主要技术瓶颈。我们自2002年以来，通过参与1瑞典国内项目2个欧盟第7框架项目，一直从事 GaAs基1，3微米稀氮边发射激光器的研发，多项技术指标至今保持世界纪录，见如下产品优势。下一步需要研究产品的稳定性，重复性和成品率，最终实现高指标低成本产品。我们希望了解国内潜在的市场以及这方面的光电子企业。
另外我们在半导体异质结材料生长和其他微电子和光电子器件方面有丰富经验，有兴趣与国内企业，高校和研究所开展产品研发。 |
| 项目团队情况： |
现有4人在瑞典查尔莫斯理工大学参与研发（教授，助理教授，工程师和博士生各1名） |
| 产品优势和市场前景： |
1．3微米非制冷激光器技术指标至今保持多项世界纪录， 包括：
最低阈值电流（对于100x1000μm2激光器，单量子阱、双量子阱和三量子阱的阈值电流分别为300，300和400 A/cm2）
最高特征温度（100-250K）
3dB带宽室温17GHz，110摄氏度时8,6GHz
10Gib/s信号调制范围从室温到110摄氏度
激光器寿命超过20000小时
总体技术性能与商用InP基1.3微米激光器相当，个别指标更好
产品主要用于通讯技术中的”光纤到户”。 |
